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第 106 題:半導電製程中的化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是利用機械配合適當的化學助劑,以將高低起伏不一的晶片表面、輪廓一併加以磨平。下列何項是化學機械研磨時常用的金屬膜研磨液?
12300 化工 丙級 / 工作項目 01:普通化學
半導電製程中的化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是利用機械配合適當的化學助劑,以將高低起伏不一的晶片表面、輪廓一併加以磨平。下列何項是化學機械研磨時常用的金屬膜研磨液?
選項
- A.

- B.

- C.

- D.

正確答案
B:

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